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Catalogue des produits et matériaux
Chemraz® FFKM
Chemraz® 551
Chemraz® 551 est idéal comme matériau d'étanchéité universel.
Chemraz® FFKM

Chemraz® 551

Semi-conducteur

Grâce à sa grande résistance chimique, Chemraz® 551 est idéal comme matériau d'étanchéité universel pour le traitement aqueux et sec des plaquettes de semi-conducteurs et les systèmes de distribution d'eau chimique/DI. Avec le profil de dégazage le plus faible des matériaux perfluoroélastomères dans les applications à haute température, Chemraz® 551 offre un environnement de traitement plus propre. En raison de son adhérence superficielle réduite, il peut être utilisé pour des applications semi-dynamiques et statiques. Le Chemraz® 551 reste stable à des températures de fonctionnement allant jusqu'à 572 °F (300 °C), tout en conservant une déformation rémanente exceptionnelle.

Caractéristiques et avantages
  • Large compatibilité chimique
  • Capacité à haute température (jusqu'à 600 °F/316 °C)
  • Une excellente résistance à la compression préserve l'intégrité du joint dans des conditions de température et de pression variables, ainsi qu'en cas de vibrations.
  • La diversité des capacités permet la standardisation sur un seul matériau et réduit les articles en stock.
  • Une intégrité accrue et prolongée des joints dans les applications de scellage
  • Coût global d'exploitation des équipements réduit
  • Propreté de classe mondiale dans les applications semi-conductrices et humides
Applications
  • Joints de chambre
  • Joints de distribution
  • Joints d'étanchéité et joints d'union
  • Joints de filtre
  • Joints d'entrée/sortie de gaz
  • Joints
  • Joints pour vannes à guillotine
  • Joints pour vannes d'isolation
  • Joints d'étanchéité pour couvercle de chambre de réaction
  • Joints de régulateur
  • Joints à proximité immédiate de chauffe-eau à haute température
  • Joints d'étanchéité à fente pour soupapes
  • Joints d'étanchéité pour bouchons de tubes
  • Joints de soupape
Configurations
  • Dépôt par couche atomique
  • Placage électrochimique
  • Dépôt épitaxial
  • LPCVD (nitrure de silicium, oxyde de silicium)
  • Pré-nettoyage de la piste photolithographique
  • RTP (recuit, oxydation, nitruration, silicidation)
  • Croissance de lingots d'eau de silicium
  • Recuit SOI
  • Gaz plasma typiques utilisés pour la gravure et le dépôt, notamment NF3 et O2
  • CVD thermique
  • Nettoyage humide (par lots et par plaquette individuelle)
  • Gravure humide (oxyde, nitrure, métal)
  • Bande de résine photosensible humide (acide, solvant)
Plage de température
–18 °C à 324 °C (0 °F à 615 °F)

Pour les applications soumises à des températures extrêmes, des pressions élevées ou des conditions de fonctionnement particulièrement difficiles, notre équipe d'ingénieurs internationale fournit des solutions entièrement personnalisées. Chaque environnement critique étant différent, ces conceptions sont développées en étroite collaboration avec vous. Discutons ensemble de vos besoins afin de trouver la solution la mieux adaptée.

Vous avez besoin d'une solution plus personnalisée ?
Ajoutez cette mention à votre devis et nous discuterons ensemble de vos besoins.
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Catalogue des produits et matériaux Greene Tweed

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